Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская icon

Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская




НазваниеЭлектрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская
Гиро А.В
Дата конвертации30.05.2013
Размер624 b.
ТипДокументы
источник


Белорусский государственный университет Физический факультет Кафедра атомной физики и физической информатики

  • Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния

  • Магистерская диссертация

  • Выполнил – магистрант Гиро А.В.

  • Научный руководитель – канд. ф.-м. наук, доцент Покотило Ю.М.


Содержание

  • Актуальность.

  • Поставленные цели.

  • Объекты и методика исследований.

  • Результаты.

  • Выводы.



Актуальность

  • Модифицирование полупроводниковых материалов пучками легких ионов, в частности протонов, является одним из наиболее перспективных и бурно развивающихся в последние годы физико-технологических методов.

  • Интерес к протонам обусловлен широким контролируемым диапазоном обрабатываемых глубин материала (от 0,1 мкм до 1 мм) и отсутствием после протонного облучения сложных радиационных комплексов с высокой температурой отжига.

  • Разработка и широкое использование радиационных технологий в электронной технике свидетельствуют о высокой эффективности данных методов и являются результатом глубоких исследований физико-химических процессов, лежащих в основе радиационных методов легирования.



Поставленные цели

  • Идентификация дефектов, образующихся в кремнии после протонного облучения

  • Исследования корреляции процессов формирования Н-доноров и радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии.

  • Выявление причины образования аномального пика в DLTS-спектре кремния, облученного протонами.



Объекты исследований

  • Для экспериментов использовались промышленные Pd-Si диоды Шоттки, изготовленные на эпитаксиальном n-кремнии с удельным сопротивлением 1,2 Ом·см.

  • Образцы облучались ионами Н+ с энергией 300 кэВ и дозой в интервале Ф= (1·1013 - 3·1015) см-2.



Методика исследований

  • Для нахождения параметров глубоких центров использовался метод DLTS. Отношение времен выборок составляло t2/t1=5, частота – 1 МГц. Напряжение смещения переключалось в диапазоне (0÷5) В, что соответствовало глубине сканирования базового слоя Х=(0,2÷2,1) мкм. Температурный диапазон сканирования – от 90К до 300К.

  • Дополнительно применялся метод C-V-характеристик для нахождение высоты потенциального барьера в диоде Шоттки. Частота составляла 1,2 МГц.



Результаты (DLTS)

  • Спектры DLTS образцов, облученных протонами, γ-квантами и после комплексного облучения. На спектрах можно выделить 3 пика.



Результаты (кривые Аррениуса)

  • Благодаря кривым Аррениуса находим параметры дефектов для трёх пиков, что позволяет сделать предварительную идентификацию данных дефектов.



Результаты (параметры дефектов)



Результаты (обеднённый слой)

  • Зависимость толщины обеднённого слоя исходного образца и образца, подвергшегося облучению протонами с энергией 300 кэВ. Отжиг производился изохронно, 20 минут, шаг – 50 0С



Результаты (DLTS)

  • Спектры DLTS образца после отжига при 350 0С при разных временах съёмов. Здесь мы наблюдаем положительный пик



Результаты (DLTS)

  • Спектры DLTS образца после отжига при 450 0С при разных временах съёмов. Здесь мы наблюдаем отрицательный (аномальный) пик.



Результаты (C-V)

  • C помощью метода C-V-характеристик находим высоту потенциального барьера в диоде Шоттки.



Выводы

  • Были идентифицированы дефекты в кремнии, возникающие при облучёнии протонами и γ-квантами.

  • Было установлено влияние водорода на формирование данных дефектов: внедрённый водород не влияет на поведение Е-центров, однако оказывает существенное влияние на А-центры и центры V-O-H.

  • Была показана связь между формированием водородосодержащих доноров и радиационных дефектов при высоких температурах отжига.

  • Была выявлена природа образования аномального пика, возникающего в результате отжига при 450 0С.



Спасибо за внимание





Похожие:

Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconВопросы по дисциплине «Твердотельная электроника»
Электрофизические свойства чистых полупроводников – кристаллическая структура, носители заряда, типы электропроводности
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconТема: «Свойства воздуха»
Цель: показать учащимся, как проводятся опыты и фиксируются результаты наблюдений; выявить свойства воздуха в ходе опытов и наблюдений,...
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconЭкзаменационная программа
Первообразная. Свойства первообразных. Неопределенный ин­теграл и его свойства. Таблица неопределенных интегралов
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconМагистерская работа анализ финансового состояния предприятия на примере

Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconМагистерская работа Быцко Екатерины Николаевны
Использование технологий спонсоринга и фандрайзинга для реализации социальных проектов
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconСвойства и графики элементарных функций в помощь ученику
Свойства и графики степенных функций вида существенно зависят от показателя степени
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconМагистерская работа магистрантки факультета международных отношений
Выявление генетически и типологически общих черт поэтики Донна и авторов, принадлежащих к парадигме
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconАстральные свойства камней о мистическом сродстве
Украденные камни проявляют скорее отрицательные свойства. Купленные становятся талисманами через много лет, но подлинными талисманами...
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconУрок геометрии в 8 классе по теме «Параллелограмм. Свойства параллелограмма»
Цель урока: ввести определение параллелограмма, ввести свойства параллелограмма, отработать навыки применения свойств параллелограмма...
Электрофизические свойства водородосодержащих доноров в субмикронных слоях кремния Магистерская iconДокументы
1. /Разработка урока Понятие и свойства алгоритма/konspekt -понятие и свойства алг.doc
Разместите кнопку на своём сайте:
Документы


База данных защищена авторским правом ©sov.opredelim.com 2000-2015
При копировании материала обязательно указание активной ссылки открытой для индексации.
обратиться к администрации
Документы